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インテルとSTマイクロエレクトロニクス、相変化メモリの密度倍増方法を開発

インテルとSTマイクロエレクトロニクスは、相変化メモリのメモリセル1つに複数ビットを記録する方法を開発した。
これにより相変化メモリの密度倍増に大きく近づいた。



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